MANY MICRO整流二极管整流桥的主要参数有反向击穿电压、反向漏电流、正向电压、反向恢复时间、正向冲击力等，它们的影响因素有哪些呢？
整流二极管整流桥的反向击穿电压(VBR):1.结深-扩散技术和工艺控制；2.管芯形状和芯表面光洁状况P-N结面斜角；3.原硅片电阻率。
反向漏电流(IR):1.P-N结面清洁程度；2.结面钝化材料和技术。
正向电压(VF):1.硅片表面的金属层；2.结深-扩散技术和工艺控制；3.各部件结合方式。
反向恢复时间(Trr):1.扩散工艺和材料选择
整流二极管整流桥的正向冲击力(Ifsm):1.管芯尺寸；2.管芯厚度；3.散热材料性能和结构。
